ForH.ru - новости из мира hi-tech


Логин:
Пароль:
  » Регистрация
» Напомнить пароль?
Разделы сайта


Немного юмора
В любом из нас спит гений, и с каждым днем все крепче.

Интересное

.

Популярное

.

Архив новостей
«    Февраль 2018    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
 



Опрос на сайте

да, конечно
нет, не вижу смысла
а что это? первый раз слышу










Разработаны первые в мире 22-нанометровые модули памяти
Компании IBM, AMD, Freescale и Toshiba в сотрудничестве американским Колледжем наноисследований и инжиниринга сегодня сообщили о разработке самых компактных в мире модулей памяти формата SRAM (static random access memory). Одновременно с этим компании сообщили, что при создании модулей первыми в мире ими был использован 22-нм технологический процесс производства.

По данным пресс-службы IBM, 22-нм модули были изготовлены в лабораториях корпорации в Нью-Йорке на базе используемых на сегодня 300-мм кремниевых подложек. В IBM говорят, что изготовленные модули являются не прототипами, а реально работающими образцами.

22-нм чипы памяти обладают производительностью, достаточной для использования в сложных электронных устройствах, например в микропроцессорах. Одна базовая ячейка 22-нм памяти состоит из шести нанотранзисторов, занимающих площадь в 0,1um2. Толщина одного нанотранзистора, использованного для новых модулей, в 80 000 раз тоньше человеческого волоса.

"Мы работаем буквально на переднем крае доступных сейчас технологий. В будущем на основе этих разработок будут создаваться чипы новых поколений. 22-нм техпроцесс является новым достижением для микроэлектроники", - говорит руководитель нью-йоркской исследовательской лаборатории и вице-президент Колледежа наноисследований Т.С. Чен.

На данный момент основной технологией для производства микроэлектроники является 45-нм технология. К 2010 году производители намерены освоить в массовом масштабе 32-нм процесс, а лишь затем перейти к 22-нм чипам.

Как рассказали в IBM, в основе новых чипов SRAM находятся транзисторы, созданные по патентованной технологии high-K metal gate, которую задействуют и в производстве 32-нм чипов. "Как правило, плотность чипов SRAM повышается за счет уменьшения размеров базовых элементов чипов - ячеек. В случае с новыми уменьшенными ячейками удалось добиться не только их уменьшения, но и нового более плотного размещения относительно друг друга", - говорят в IBM.

Также в создании модулей памяти был применен и новый процесс литографии который рассчитан на использование 300-мм подложек, но со значительно более плотным 3-мерным размещением ячеек.
 


Известные высказывания от ForH.ru
-Вино - самый здоровый и гигиеничный из напитков. (Луи Пастер)
-Водку следует пить только в двух случаях: когда есть закуска и когда ее нет. (Леопольд Стафф)
-Старых пьяниц встречаешь чаще, чем старых врачей. (Франсуа Рабле)
 (голосов: 0)
Другие новости по теме:
Информация
Посетители, находящиеся в группе Нелегалы, не могут оставлять комментарии в данной новости.